L'arséniure de gallium (\ce{GaAs}) est un semi-conducteur dont l'énergie de gap est 1,42 eV (soit environ 873 nm).
Le graphique ci-dessous présente son spectre d'absorption ainsi que le spectre solaire :
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Ce matériau peut-il être utilisé pour fabriquer un capteur photovoltaïque ?
Le silicium (\ce{Si} ) est un semi-conducteur dont l'énergie de gap est 1,12 eV (soit environ 1 100 nm).
Le graphique ci-dessous présente son spectre d'absorption ainsi que le spectre solaire :
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Ce matériau peut-il être utilisé pour fabriquer un capteur photovoltaïque ?
Le sulfure de cadmium (\ce{CdS} ) est un semi-conducteur dont l'énergie de gap est 2,42 eV (soit environ 510 nm).
Le graphique ci-dessous présente son spectre d'absorption ainsi que le spectre solaire :
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Ce matériau peut-il être utilisé pour fabriquer un capteur photovoltaïque ?
Le tellurure de cadmium (\ce{CdTe} ) est un semi-conducteur dont l'énergie de gap est 1,5 eV (soit environ 823 nm).
Le graphique ci-dessous présente son spectre d'absorption ainsi que le spectre solaire :
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Ce matériau peut-il être utilisé pour fabriquer un capteur photovoltaïque ?
Le phosphure d'indium (\ce{InP} ) est un semi-conducteur dont l'énergie de gap est 1,35 eV (soit environ 915 nm).
Le graphique ci-dessous présente son spectre d'absorption ainsi que le spectre solaire :
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Ce matériau peut-il être utilisé pour fabriquer un capteur photovoltaïque ?